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【Redmi 9】Mali-G52 超频 1400MHz，安兔兔 GPU 分 +40%
机型：Redmi 9（lancelot / MT6768）
要求：MIUI 12（Android 10）+ Magisk + 已解锁 BL
作者：r34Ch1n9
═══ 效果 ═══
GPU 频率 950 → 1400 MHz（+47%）
GPU 电压 83,750 → 110,000 µV
安兔兔 GPU 26,630 → 37,270（+40.0%）
安兔兔总分 427,678 → 449,063（+5.0%）
═══ 为什么有效 ═══
关键是 PTPOD。MTK 的 PTPOD 会在运行时偷偷压电压：
你写 95,000 µV，满载实际只有 70,625 µV。电压一塌，高频就不稳。
本内核直接禁用 PTPOD，电压全程锁死 110,000 µV。这是 1400MHz 能稳住的唯一原因。
另外：MT6358 的 VGPU 硬件上限就是 110,000 µV，网上说的"1.15V"做不到，会被硬件钳回去。
═══ 两个必读前提 ═══
1. 必须 MIUI 12（Android 10）
MIUI 11 的 HWC 自检遇到任何 GPU 锁频就崩，连锁原厂 950MHz 都会崩。
2. 必须装 WiFi 修复模块
自编译内核 CONFIG_MODVERSIONS=n，原厂 vendor 模块加载不了。
不装的话：WiFi、蓝牙、FM、GPS 全部不可用。
硬件没事，MAC 和校准数据在 nvdata，跟内核无关。
═══ 刷机 ═══
adb reboot bootloader
fastboot flash boot boot.img
fastboot reboot
Magisk 里装两个模块，重启。
验证：
su -c "cat /proc/gpufreq/gpufreq_var_dump | head -2"
看到 real volt = 110000 就对了。
回滚：
fastboot flash boot 原厂boot.img
删掉两个模块即可，无残留（systemless 挂载）。
═══ 风险 ═══
1. 长期高电压会导致硅片退化（电迁移、TDDB），不可逆。建议配散热器。
2. 不要来回切锁频和自动。实测会累积 GPU 故障（1→6→20→64）然后看门狗重启。
一次锁死，跑完保持。
3. 1450MHz 不稳（约 76 秒崩）。1400 是实用上限。
4. 别指望 CPU 超频。我试过大核 2000→2300，CPU 分反而掉 25%，内存带宽跟不上。
═══ 实测稳定性 ═══
1300@95k 稳 ｜ 1350@105k 稳 ｜ 1400@110k 稳 ｜ 1450@110k 崩
（全部用 3D 满载测试，每秒锁频，崩了立即停）
═══ 附件 ═══
boot.img
boot镜像.txt
(221 Bytes, 下载次数: 0, 售价: 2 金币)
自编译内核
R9_GPU超频_v1.0.zip
R9_GPU超频_v1.0.zip
(986 Bytes, 下载次数: 0)
开机自动锁频
R9_WiFi修复_v2.0.zip
R9_WiFi修复_v2.0.zip
(1.69 MB, 下载次数: 0)
必装
刷机说明_纯文字.txt
刷机说明_纯文字.txt
(8.03 KB, 下载次数: 1)
详细步骤 + 排错
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发表于 2026-10-21 18:45:32
